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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD25N06S4L30ATMA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD25N06S4L30ATMA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD25N06S4L30ATMA2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD25N06S4L30ATMA2.pdf
État RoHS
En stock: 111620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD25N06S4L30ATMA2
Infineon Technologies - IPD25N06S4L30ATMA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD25N06S4L30ATMA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 8µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 29W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD25N06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA2

Attributs du produit IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10NGATMA1 IPD26N06S2L35ATMA2 IPD25N06S4L-30
Modèle de produit IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10NGATMA1 IPD26N06S2L35ATMA2 IPD25N06S4L-30
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Numéro de produit de base IPD25N06 IPD25CN10 IPD26N06 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V 2070 pF @ 50 V 621 pF @ 25 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 35A (Tc) 30A (Tc) -
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Dissipation de puissance (max) 29W (Tc) 71W (Tc) 68W (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 8µA 4V @ 39µA 2V @ 26µA -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 55 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 35A, 10V 35mOhm @ 13A, 10V -

Fiche technique IPD25N06S4L30ATMA2 PDF

Téléchargez IPD25N06S4L30ATMA2 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD25N06S4L30ATMA2 - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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