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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB22N03S4L15ATMA1
IPB22N03S4L15ATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB22N03S4L15ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB22N03S4L15ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB22N03S4L15ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPx22N03S4L-15.pdf
État RoHS
En stock: 4940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB22N03S4L15ATMA1
Infineon Technologies - IPB22N03S4L15ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB22N03S4L15ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB22N03  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB22N03S4L15ATMA1

Attributs du produit IPB22N03S4L15ATMA1 IPB200N25N3GATMA1 IPB230N06L3G IPB240N03S4LR9ATMA1
Modèle de produit IPB22N03S4L15ATMA1 IPB200N25N3GATMA1 IPB230N06L3G IPB240N03S4LR9ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 64A (Tc) 30A (Tc) 240A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 250 V 60 V 30 V
Numéro de produit de base IPB22N03 IPB200 - IPB240
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V 7100 pF @ 100 V 1600 pF @ 30 V 20300 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±16V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 22A, 10V 20mOhm @ 64A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 0.92mOhm @ 100A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 300 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA 4V @ 270µA 2.2V @ 11µA 2.2V @ 180µA
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-7-3
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc) 231W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IPB22N03S4L15ATMA1 PDF

Téléchargez IPB22N03S4L15ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB22N03S4L15ATMA1 - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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