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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB22N03S4L-15
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB22N03S4L-15 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB22N03S4L-15
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB22N03S4L-15
Modèle ECAD
Description des pièces
IPB22N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB22N03S4L-15.pdf
En stock: 38357

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB22N03S4L-15
Infineon Technologies - IPB22N03S4L-15 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB22N03S4L-15

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries *  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB22N03S4L-15

Attributs du produit IPB22N03S4L-15 IPB230N06L3G IPB240N03S4LR9ATMA1 IPB200N15N3G
Modèle de produit IPB22N03S4L-15 IPB230N06L3G IPB240N03S4LR9ATMA1 IPB200N15N3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-7-3 PG-TO263-3-2
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA 2.2V @ 11µA 2.2V @ 180µA 4V @ 90µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 30 V 150 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries * OptiMOS™3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 22A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 0.92mOhm @ 100A, 10V 20mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc) 36W (Tc) 231W (Tc) 150W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V 1600 pF @ 30 V 20300 pF @ 25 V 1820 pF @ 75 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 300 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 8V, 10V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 30A (Tc) 240A (Tc) 50A (Tc)

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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