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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB180N03S4LH0ATMA1
IPB180N03S4LH0ATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB180N03S4LH0ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB180N03S4LH0ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB180N03S4LH0ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Fiche technique
IPB180N03S4LH0ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 4430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB180N03S4LH0ATMA1
Infineon Technologies - IPB180N03S4LH0ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB180N03S4LH0ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 200µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-7-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB180  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB180N03S4LH0ATMA1

Attributs du produit IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-01
Modèle de produit IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-01
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 239 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc) 17A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Numéro de produit de base IPB180 IPB17N25 IPB180 IPB180
Tension drain-source (Vdss) 30 V 250 V 30 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 17600 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 107W (Tc) 250W (Tc) 188W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±16V
Package composant fournisseur PG-TO263-7-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-7-3-10
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V 0.95mOhm @ 100A, 10V 1.05mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 200µA 4V @ 54µA 2.2V @ 200µA 2.2V @ 140µA

Fiche technique IPB180N03S4LH0ATMA1 PDF

Téléchargez IPB180N03S4LH0ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB180N03S4LH0ATMA1 - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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