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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB17N25S3100ATMA1
IPB17N25S3100ATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB17N25S3100ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB17N25S3100ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB17N25S3100ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB17N25S3100ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 29474

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB17N25S3100ATMA1
Infineon Technologies - IPB17N25S3100ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB17N25S3100ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 54µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB17N25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1

Attributs du produit IPB17N25S3100ATMA1 IPB180N03S4L-01 IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4LH0ATMA1
Modèle de produit IPB17N25S3100ATMA1 IPB180N03S4L-01 IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4LH0ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V 17600 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ OptiMOS™
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 17A, 10V 1.05mOhm @ 100A, 10V 0.95mOhm @ 100A, 10V 0.95mOhm @ 100A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base IPB17N25 IPB180 IPB180 IPB180
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-7-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 54µA 2.2V @ 140µA 2.2V @ 200µA 2.2V @ 200µA
Tension drain-source (Vdss) 250 V 30 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 239 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±16V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc) 188W (Tc) 250W (Tc) 250W (Tc)

Fiche technique IPB17N25S3100ATMA1 PDF

Téléchargez IPB17N25S3100ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB17N25S3100ATMA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf

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