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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB100N04S204ATMA1
IPB100N04S204ATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB100N04S204ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB100N04S204ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB100N04S204ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB,IPP100N04S2-04.pdf
État RoHS
En stock: 5300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB100N04S204ATMA1
Infineon Technologies - IPB100N04S204ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB100N04S204ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 172 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB100N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB100N04S204ATMA1

Attributs du produit IPB100N04S204ATMA1 IPB09N03LA IPB100N04S303ATMA1 IPB093N04LG
Modèle de produit IPB100N04S204ATMA1 IPB09N03LA IPB100N04S303ATMA1 IPB093N04LG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO-263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V 8.9mOhm @ 30A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V 1642 pF @ 15 V 9600 pF @ 25 V 2100 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 63W (Tc) 214W (Tc) 47W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 25 V 40 V 40 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 172 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 145 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 20µA 4V @ 150µA 2V @ 77µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 50A (Tc) 100A (Tc) 50A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IPB100N IPB09N IPB100 -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique IPB100N04S204ATMA1 PDF

Téléchargez IPB100N04S204ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB100N04S204ATMA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014.pdf
Feuilles de données
IPB,IPP100N04S2-04.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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