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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB090N06N3GATMA1
IPB090N06N3GATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB090N06N3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB090N06N3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB090N06N3GATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB090N06N3GATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 45480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB090N06N3GATMA1
Infineon Technologies - IPB090N06N3GATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB090N06N3GATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 34µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB090  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB090N06N3GATMA1

Attributs du produit IPB090N06N3GATMA1 IPB100N04S204ATMA1 IPB09N03LA IPB096N03LG
Modèle de produit IPB090N06N3GATMA1 IPB100N04S204ATMA1 IPB09N03LA IPB096N03LG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base IPB090 IPB100N IPB09N -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 50A, 10V 3.3mOhm @ 80A, 10V 8.9mOhm @ 30A, 10V 9.6mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension drain-source (Vdss) 60 V 40 V 25 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 30 V 5300 pF @ 25 V 1642 pF @ 15 V 1600 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 172 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 100A (Tc) 50A (Tc) 35A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 34µA 4V @ 250µA 2V @ 20µA 2.2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc) 300W (Tc) 63W (Tc) 42W (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3

Fiche technique IPB090N06N3GATMA1 PDF

Téléchargez IPB090N06N3GATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB090N06N3GATMA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018.pdf

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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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