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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA60R280P7SXKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA60R280P7SXKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA60R280P7SXKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA60R280P7SXKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 67480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies - IPA60R280P7SXKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA60R280P7SXKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 190µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-FP  
Séries CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IPA60R280  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA60R280P7SXKSA1

Attributs du produit IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R280E6 IPA60R380C6 IPA60R299CP
Modèle de produit IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R280E6 IPA60R380C6 IPA60R299CP
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V 950 pF @ 100 V 700 pF @ 100 V 1100 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc) 32W (Tc) 31W (Tc) 33W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IPA60R280 - - -
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 190µA 3.5V @ 430µA 3.5V @ 320µA 3.5V @ 440µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur PG-TO220-FP PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-31
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ P7 CoolMOS E6™ CoolMOS™ CoolMOS™
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 13.8A (Tc) 10.6A (Tc) 11A (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IPA60R280P7SXKSA1 PDF

Téléchargez IPA60R280P7SXKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPA60R280P7SXKSA1 - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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