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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA60R280E6
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA60R280E6 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA60R280E6
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA60R280E6
Modèle ECAD
Description des pièces
600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA60R280E6.pdf
État RoHS
En stock: 4590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA60R280E6
Infineon Technologies - IPA60R280E6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA60R280E6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-111  
Séries CoolMOS E6™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13.8A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA60R280E6

Attributs du produit IPA60R280E6 IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R299CP IPA60R280P6
Modèle de produit IPA60R280E6 IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R299CP IPA60R280P6
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA 4V @ 190µA 3.5V @ 440µA 4.5V @ 430µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries CoolMOS E6™ CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS P6™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13.8A (Tc) 12A (Tc) 11A (Tc) 13.8A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Package composant fournisseur PG-TO220-3-111 PG-TO220-FP PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-111
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc) 24W (Tc) 33W (Tc) 32W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 25.5 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V 280mOhm @ 3.8A, 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V 280mOhm @ 5.2A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V 761 pF @ 400 V 1100 pF @ 100 V 1190 pF @ 100 V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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