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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA60R165CP
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA60R165CP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA60R165CP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA60R165CP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA60R165CP.pdf
État RoHS
En stock: 5140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA60R165CP
Infineon Technologies - IPA60R165CP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA60R165CP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 790µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220 Full Pack  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 34W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA60R165CP

Attributs du produit IPA60R165CP IPA60R125CP IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7XKSA1
Modèle de produit IPA60R165CP IPA60R125CP IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7XKSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 12A, 10V 125mOhm @ 16A, 10V 180mOhm @ 5.6A, 10V 180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 790µA 3.5V @ 1.1mA 4V @ 280µA 4V @ 280µA
Dissipation de puissance (max) 34W (Tc) 35W (Tc) 26W (Tc) 26W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Emballer Bulk Bulk Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PG-TO220 Full Pack PG-TO220-3-31 PG-TO220-FP PG-TO220 Full Pack
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V 2500 pF @ 100 V 1081 pF @ 400 V 1081 pF @ 400 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc) 25A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc)
Séries CoolMOS™ CoolMOS® CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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