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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA60R125CFD7XKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA60R125CFD7XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA60R125CFD7XKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA60R125CFD7XKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 14259

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies - IPA60R125CFD7XKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA60R125CFD7XKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 390µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220 Full Pack  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 7.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1503 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base IPA60R  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA60R125CFD7XKSA1

Attributs du produit IPA60R125CFD7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P6XKSA1 IPA60R125P6
Modèle de produit IPA60R125CFD7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P6XKSA1 IPA60R125P6
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 31A (Tc) 37.9A (Tc) 30A (Tc)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc) 29W (Tc) 34W (Tc) 34W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur PG-TO220 Full Pack PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220-3-111
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1503 pF @ 400 V 1952 pF @ 400 V 3330 pF @ 100 V 2660 pF @ 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 390µA 4V @ 530µA 4.5V @ 1.21mA 4.5V @ 960µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries OptiMOS™ CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P6 CoolMOS™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 7.8A, 10V 99mOhm @ 10.5A, 10V 99mOhm @ 14.5A, 10V 125mOhm @ 11.6A, 10V
Numéro de produit de base IPA60R IPA60R099 IPA60R099 -

Fiche technique IPA60R125CFD7XKSA1 PDF

Téléchargez IPA60R125CFD7XKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPA60R125CFD7XKSA1 - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 18/Oct/2021.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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