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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleIDB30E60ATMA1
IDB30E60ATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IDB30E60ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IDB30E60ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IDB30E60ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GP 600V 52.3A TO263-3-2
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IDB30E60ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 24190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IDB30E60ATMA1
Infineon Technologies - IDB30E60ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IDB30E60ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2 V @ 30 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 126 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 50 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 52.3A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base IDB30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IDB30E60ATMA1

Attributs du produit IDB30E60ATMA1 IDB45E60 IDB18E120 IDB06S60CATMA2
Modèle de produit IDB30E60ATMA1 IDB45E60 IDB18E120 IDB06S60CATMA2
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie Standard - Standard SiC (Silicon Carbide) Schottky
Courant - Rectifié moyenne (Io) 52.3A - 31A 6A
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - fuite, inverse à Vr 50 µA @ 600 V - 100 µA @ 1200 V 80 µA @ 600 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2 V @ 30 A - 2.15 V @ 18 A 1.7 V @ 6 A
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Capacité à Vr, F - - - 280pF @ 1V, 1MHz
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V - 1200 V 600 V
Numéro de produit de base IDB30 - - IDB06
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries - - - CoolSiC™+
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Temps de recouvrement inverse (trr) 126 ns - 195 ns 0 ns
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C - -55°C ~ 150°C -

Fiche technique IDB30E60ATMA1 PDF

Téléchargez IDB30E60ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IDB30E60ATMA1 - Infineon Technologies.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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