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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleIDB06S60CATMA2
IDB06S60CATMA2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IDB06S60CATMA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IDB06S60CATMA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IDB06S60CATMA2
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IDB06S60C.pdf
État RoHS
En stock: 3780

Les champs requis sont indiqués par un astérisque (*)
Veuillez envoyer RFQ, nous répondrons immédiatement.

Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IDB06S60CATMA2
Infineon Technologies - IDB06S60CATMA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IDB06S60CATMA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 6 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries CoolSiC™+  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 80 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A  
Capacité à Vr, F 280pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base IDB06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IDB06S60CATMA2

Attributs du produit IDB06S60CATMA2 IDB10S60C IDB30E60ATMA1 IDB18E120
Modèle de produit IDB06S60CATMA2 IDB10S60C IDB30E60ATMA1 IDB18E120
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A 10A 52.3A 31A
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V 600 V 600 V 1200 V
Séries CoolSiC™+ CoolSiC™+ - -
Numéro de produit de base IDB06 IDB10 IDB30 -
Courant - fuite, inverse à Vr 80 µA @ 600 V 140 µA @ 600 V 50 µA @ 600 V 100 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F 280pF @ 1V, 1MHz 480pF @ 1V, 1MHz - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 6 A 1.7 V @ 10 A 2 V @ 30 A 2.15 V @ 18 A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard Standard
Température d'utilisation - Jonction - -55°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 126 ns 195 ns
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique IDB06S60CATMA2 PDF

Téléchargez IDB06S60CATMA2 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IDB06S60CATMA2 - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
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Gen2 Migration to Gen5 Diodes 27/Feb/2017.pdf Gen2 Migration to Gen5 Diodes 6/Mar/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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