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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSO150N03MDG
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO150N03MDG - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO150N03MDG
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO150N03MDG
Modèle ECAD
Description des pièces
BSO150N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
BSO150N03MDG.pdf
En stock: 3780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO150N03MDG
Infineon Technologies - BSO150N03MDG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO150N03MDG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie -  
Package composant fournisseur -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte -  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage -  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
type de FET -  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO150N03MDG

Attributs du produit BSO150N03MDG BSO130N03MSG BSO119N03S BSO200N03S
Modèle de produit BSO150N03MDG BSO130N03MSG BSO119N03S BSO200N03S
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) - 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur - PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Type de montage - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) - 1.56W (Ta) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 17 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 6.5 nC @ 5 V
Vgs (th) (Max) @ Id - 2V @ 250µA 2V @ 25µA 2V @ 10µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 9A (Ta) 9A (Ta) 7A (Ta)
type de FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 1300 pF @ 15 V 1730 pF @ 15 V 840 pF @ 15 V
Package / Boîte - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 13mOhm @ 11.1A, 10V 11.9mOhm @ 11A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

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Pays communs Référence du temps logistique
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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