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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSO119N03S
BSO119N03S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSO119N03S - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSO119N03S
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSO119N03S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
BSO119N03S.pdf
En stock: 4980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSO119N03S
Infineon Technologies - BSO119N03S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSO119N03S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-DSO-8  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSO119N03S

Attributs du produit BSO119N03S BSO080P03SHXUMA1 BSO083N03MSG BSO130N03MSG
Modèle de produit BSO119N03S BSO080P03SHXUMA1 BSO083N03MSG BSO130N03MSG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V 8mOhm @ 14.9A, 10V 8.3mOhm @ 14A, 10V 13mOhm @ 11.1A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ 3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 15 V 5890 pF @ 25 V 2100 pF @ 15 V 1300 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta) 1.79W (Ta) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V 136 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta) 12.6A (Ta) 11A (Ta) 9A (Ta)

Fiche technique BSO119N03S PDF

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Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
BSO119N03S.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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