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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC027N10NS5ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC027N10NS5ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC027N10NS5ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC027N10NS5~.pdf
État RoHS
En stock: 11375

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies - BSC027N10NS5ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC027N10NS5ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 146µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TSON-8-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 214W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8200 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 111 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base BSC027  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC027N10NS5ATMA1

Attributs du produit BSC027N10NS5ATMA1 BSC030N03LSG BSC027N04LSGATMA1 BSC029N025SG
Modèle de produit BSC027N10NS5ATMA1 BSC030N03LSG BSC027N04LSGATMA1 BSC029N025SG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8200 pF @ 50 V 4300 pF @ 15 V 6800 pF @ 20 V 5090 pF @ 15 V
Numéro de produit de base BSC027 - BSC027 -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 146µA 2.2V @ 250µA 2V @ 49µA 2V @ 80µA
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 40 V 25 V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™
Package composant fournisseur PG-TSON-8-3 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V 3mOhm @ 30A, 10V 2.7mOhm @ 50A, 10V 2.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 100A (Tc) 23A (Ta), 122A (Tc) 24A (Ta), 100A (Tc) 24A (Ta), 100A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 214W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 111 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 41 nC @ 5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique BSC027N10NS5ATMA1 PDF

Téléchargez BSC027N10NS5ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSC027N10NS5ATMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
OptiMOS A/T Chgs 2/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
BSC027N10NS5~.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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