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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC027N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC027N06LS5ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC027N06LS5ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC027N06LS5ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC027N06LS5ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 26163

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC027N06LS5ATMA1
Infineon Technologies - BSC027N06LS5ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC027N06LS5ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 49µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-7  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base BSC027  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC027N06LS5ATMA1

Attributs du produit BSC027N06LS5ATMA1 BSC029N025SG BSC027N04LSGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Modèle de produit BSC027N06LS5ATMA1 BSC029N025SG BSC027N04LSGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base BSC027 - BSC027 BSC027
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 30 V 5090 pF @ 15 V 6800 pF @ 20 V 8200 pF @ 50 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 49µA 2V @ 80µA 2V @ 49µA 3.8V @ 146µA
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V 2.9mOhm @ 50A, 10V 2.7mOhm @ 50A, 10V 2.7mOhm @ 50A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 24A (Ta), 100A (Tc) 24A (Ta), 100A (Tc) 23A (Ta), 100A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 25 V 40 V 100 V
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TSON-8-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 41 nC @ 5 V 85 nC @ 10 V 111 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V

Fiche technique BSC027N06LS5ATMA1 PDF

Téléchargez BSC027N06LS5ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSC027N06LS5ATMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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