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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSB012NE2LXIXUMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSB012NE2LXIXUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSB012NE2LXIXUMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
Description détaillée
Emballage
3-WDSON
Fiche technique
BSB012NE2LXIXUMA1.pdf
État RoHS
En stock: 4330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies - BSB012NE2LXIXUMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSB012NE2LXIXUMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc)  
Package / Boîte 3-WDSON  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5852 pF @ 12 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170A (Tc)  
Numéro de produit de base BSB012  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSB012NE2LXIXUMA1

Attributs du produit BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LX BSB012N03LX3G BSB013NE2LXIXUMA1
Modèle de produit BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LX BSB012N03LX3G BSB013NE2LXIXUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5852 pF @ 12 V 4900 pF @ 12 V 16900 pF @ 15 V 4400 pF @ 12 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170A (Tc) 37A (Ta), 170A (Tc) 39A (Ta), 180A (Tc) 36A (Ta), 163A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA
Package / Boîte 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base BSB012 - - BSB013
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 30 V 25 V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 169 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V

Fiche technique BSB012NE2LXIXUMA1 PDF

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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