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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSB012NE2LX
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSB012NE2LX - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSB012NE2LX
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSB012NE2LX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
Description détaillée
Emballage
3-WDSON
Fiche technique
BSB012NE2LX.pdf
En stock: 4510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSB012NE2LX
Infineon Technologies - BSB012NE2LX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSB012NE2LX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc)  
Package / Boîte 3-WDSON  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 12 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Ta), 170A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSB012NE2LX

Attributs du produit BSB012NE2LX BSB013NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012N03LX3G
Modèle de produit BSB012NE2LX BSB013NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012N03LX3G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 30 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 169 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 12 V 4400 pF @ 12 V 5852 pF @ 12 V 16900 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Ta), 170A (Tc) 36A (Ta), 163A (Tc) 170A (Tc) 39A (Ta), 180A (Tc)
Package composant fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V

Fiche technique BSB012NE2LX PDF

Téléchargez BSB012NE2LX PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSB012NE2LX - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
BSB012NE2LX.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 06/Oct/2014.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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