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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRLS4030-7P
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRLS4030-7P - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
AUIRLS4030-7P
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRLS4030-7P
Modèle ECAD
Description des pièces
AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Fiche technique
AUIRLS4030-7P.pdf
En stock: 11172

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRLS4030-7P
International Rectifier - AUIRLS4030-7P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - AUIRLS4030-7P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead)  
Séries Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 110A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11490 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 190A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier AUIRLS4030-7P

Attributs du produit AUIRLS4030-7P AUIRLS3036-7P AUIRLS3034-7P AUIRLS3114Z
Modèle de produit AUIRLS4030-7P AUIRLS3036-7P AUIRLS3034-7P AUIRLS3114Z
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V 160 nC @ 4.5 V 180 nC @ 4.5 V 53 nC @ 4.5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 40 V 40 V
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead) D-PAK (TO-252AA)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 100µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 110A, 10V 1.9mOhm @ 180A, 10V 1.4mOhm @ 200A, 10V 4.9mOhm @ 56A, 10V
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11490 pF @ 50 V 11270 pF @ 50 V 10990 pF @ 40 V 3617 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 190A (Tc) 240A (Tc) 240A (Tc) 56A (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc) 380W (Tc) 380W (Tc) 143W (Tc)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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