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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRLS3114Z
AUIRLS3114Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRLS3114Z - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRLS3114Z
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRLS3114Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
AUIRLS3114Z.pdf
État RoHS
En stock: 4600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRLS3114Z
Infineon Technologies - AUIRLS3114Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRLS3114Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 56A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3617 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRLS3114Z

Attributs du produit AUIRLS3114Z AUIRLZ44Z AUIRLU2905 AUIRLR3915
Modèle de produit AUIRLS3114Z AUIRLZ44Z AUIRLU2905 AUIRLR3915
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252AA) TO-220AB I-PAK D-PAK (TO-252AA)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 55 V 55 V 55 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V 36 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 92 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 56A, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc) 51A (Tc) 42A (Tc) 30A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3617 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1870 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc) 80W (Tc) 110W (Tc) 120W (Tc)

Fiche technique AUIRLS3114Z PDF

Téléchargez AUIRLS3114Z PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRLS3114Z - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 13/May/2020.pdf
Feuilles de données
AUIRLS3114Z.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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