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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRFZ48Z
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRFZ48Z - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRFZ48Z
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFZ48Z
Modèle ECAD
Description des pièces
AUIRFZ48Z - 55V-60V N-CHANNEL AU
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
AUIRFZ48Z.pdf
En stock: 45360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFZ48Z
Infineon Technologies - AUIRFZ48Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRFZ48Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 37A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 91W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1720 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRFZ48Z

Attributs du produit AUIRFZ48Z AUIRFZ44NS AUIRFZ44ZS AUIRFU8405
Modèle de produit AUIRFZ48Z AUIRFZ44NS AUIRFZ44ZS AUIRFU8405
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 37A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 1.98mOhm @ 90A, 10V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220AB D2PAK I-PAK
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1720 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 5171 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc) 49A (Tc) 51A (Tc) 100A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 40 V
Dissipation de puissance (max) 91W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 80W (Tc) 163W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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