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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRFU8405
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRFU8405 - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
AUIRFU8405
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFU8405
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
AUIRFU8405.pdf
En stock: 33922

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFU8405
International Rectifier - AUIRFU8405 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - AUIRFU8405

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.98mOhm @ 90A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 163W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5171 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier AUIRFU8405

Attributs du produit AUIRFU8405 AUIRFZ44ZS AUIRFSL8407 AUIRFZ24NS
Modèle de produit AUIRFU8405 AUIRFZ44ZS AUIRFSL8407 AUIRFZ24NS
Fabricant International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I-PAK D2PAK TO-262 D-PAK (TO-252AA)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.98mOhm @ 90A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 40 V 55 V 40 V 55 V
Dissipation de puissance (max) 163W (Tc) 80W (Tc) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5171 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V
Emballer Bulk Bulk Tube Tube
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 51A (Tc) 195A (Tc) 17A (Tc)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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