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AUIRFR5410TRL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRFR5410TRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRFR5410TRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFR5410TRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
AUIRFR5410TRL.pdf
État RoHS
En stock: 26889

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFR5410TRL
Infineon Technologies - AUIRFR5410TRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRFR5410TRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base AUIRFR5410  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRFR5410TRL

Attributs du produit AUIRFR5410TRL AUIRFR540Z AUIRFR540ZTRL AUIRFR5305TR
Modèle de produit AUIRFR5410TRL AUIRFR540Z AUIRFR540ZTRL AUIRFR5305TR
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 55 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc) 31A (Tc)
Numéro de produit de base AUIRFR5410 - AUIRFR540 AUIRFR5305
Package composant fournisseur PG-TO252-3 DPAK DPAK D-Pak
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Séries Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc) 91W (Tc) 91W (Tc) -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique AUIRFR5410TRL PDF

Téléchargez AUIRFR5410TRL PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRFR5410TRL - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
Japon 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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