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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRFR540Z
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRFR540Z - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
AUIRFR540Z
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFR540Z
Modèle ECAD
Description des pièces
AUIRFR540Z - 75V-100V N-CHANNEL
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
AUIRFR540Z.pdf
En stock: 3920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFR540Z
International Rectifier - AUIRFR540Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - AUIRFR540Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 91W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier AUIRFR540Z

Attributs du produit AUIRFR540Z AUIRFR4620TRL AUIRFR5305 AUIRFR4620
Modèle de produit AUIRFR540Z AUIRFR4620TRL AUIRFR5305 AUIRFR4620
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 91W (Tc) 144W (Tc) 110W (Tc) 144W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 21A, 10V 78mOhm @ 15A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V 78mOhm @ 15A, 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur DPAK D-PAK (TO-252AA) D-Pak D-PAK (TO-252AA)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 55 V 200 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc) 24A (Tc) 31A (Tc) 24A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V 1710 pF @ 50 V 1200 pF @ 25 V 1710 pF @ 50 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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