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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAUIRFN8459TR
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRFN8459TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRFN8459TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFN8459TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
AUIRFN8459TR.pdf
État RoHS
En stock: 29945

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFN8459TR
Infineon Technologies - AUIRFN8459TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRFN8459TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 50µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 40A, 10V  
Puissance - Max 50W  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base AUIRFN8459  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRFN8459TR

Attributs du produit AUIRFN8459TR AUIRFN8458TR AUIRFP2907 AUIRFP4110
Modèle de produit AUIRFN8459TR AUIRFN8458TR AUIRFP2907 AUIRFP4110
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Puissance - Max 50W 34W (Tc) - -
Tension drain-source (Vdss) 40V 40V 75 V 100 V
Numéro de produit de base AUIRFN8459 AUIRFN8458 - AUIRFP4110
Package composant fournisseur PQFN (5x6) PQFN (5x6) TO-247AC TO-247AC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A 43A (Tc) 90A (Tc) 120A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V 33nC @ 10V 620 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 40A, 10V 10mOhm @ 26A, 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 50µA 3.9V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V 1060pF @ 25V 13000 pF @ 25 V 9620 pF @ 50 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-247-3 TO-247-3
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -

Fiche technique AUIRFN8459TR PDF

Téléchargez AUIRFN8459TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRFN8459TR - Infineon Technologies.

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Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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