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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAUIRFN8458TR
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRFN8458TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRFN8458TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFN8458TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
AUIRFN8458.pdf
État RoHS
En stock: 12791

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFN8458TR
Infineon Technologies - AUIRFN8458TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRFN8458TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 26A, 10V  
Puissance - Max 34W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base AUIRFN8458  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRFN8458TR

Attributs du produit AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFN7110TR
Modèle de produit AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFN7110TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Package composant fournisseur PQFN (5x6) PQFN (5x6) TO-247AC 8-PQFN (5x6)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 60nC @ 10V 170 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Numéro de produit de base AUIRFN8458 AUIRFN8459 - AUIRFN7110
Tension drain-source (Vdss) 40V 40V 55 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 26A, 10V 5.9mOhm @ 40A, 10V 8mOhm @ 59A, 10V 14.5mOhm @ 35A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Puissance - Max 34W (Tc) 50W - -
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-247-3 8-PowerTDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Tc) 50A 110A (Tc) 58A (Tc)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 25µA 3.9V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V 2250pF @ 25V 4000 pF @ 25 V 3050 pF @ 25 V

Fiche technique AUIRFN8458TR PDF

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Autres documents connexes
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Feuilles de données
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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