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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAUIRFN8458TR
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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AUIRFN8458TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRFN8458TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFN8458TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
AUIRFN8458.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 12791

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFN8458TR
Infineon Technologies - AUIRFN8458TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRFN8458TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 26A, 10V  
Puissance - Max 34W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base AUIRFN8458  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRFN8458TR

Attributs du produit AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP2907 MOS AUIRFN7107TR
Modèle de produit AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP2907 MOS AUIRFN7107TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies IR Infineon Technologies
Package composant fournisseur PQFN (5x6) PQFN (5x6) - PQFN (5x6)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 60nC @ 10V - 77 nC @ 10 V
Numéro de produit de base AUIRFN8458 AUIRFN8459 - -
Tension drain-source (Vdss) 40V 40V - 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 26A, 10V 5.9mOhm @ 40A, 10V - 8.5mOhm @ 45A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Puissance - Max 34W (Tc) 50W - -
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Tc) 50A - 14A (Ta), 75A (Tc)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 25µA 3.9V @ 50µA - 4V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V 2250pF @ 25V - 3001 pF @ 25 V

Fiche technique AUIRFN8458TR PDF

Téléchargez AUIRFN8458TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRFN8458TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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