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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRF540ZS
AUIRF540ZS Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF540ZS - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF540ZS
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF540ZS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
AUIRF540ZS.pdf
État RoHS
En stock: 4110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF540ZS
Infineon Technologies - AUIRF540ZS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF540ZS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 92W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base AUIRF540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF540ZS

Attributs du produit AUIRF540ZS AUIRF4905STRL AUIRF4104S AUIRF6218S
Modèle de produit AUIRF540ZS AUIRF4905STRL AUIRF4104S AUIRF6218S
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Tension drain-source (Vdss) 100 V 55 V 40 V 150 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Numéro de produit de base AUIRF540 AUIRF4905 - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Dissipation de puissance (max) 92W (Tc) 200W (Tc) 140W (Tc) 250W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 2210 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 42A (Tc) 75A (Tc) 27A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur PG-TO263-3 PG-TO263-3 D2PAK PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 150mOhm @ 16A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique AUIRF540ZS PDF

Téléchargez AUIRF540ZS PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRF540ZS - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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