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AUIRF5210STRL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF5210STRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF5210STRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF5210STRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
AUIRF5210STRL.pdf
État RoHS
En stock: 6520

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF5210STRL
Infineon Technologies - AUIRF5210STRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF5210STRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 38A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  
Numéro de produit de base AUIRF5210  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF5210STRL

Attributs du produit AUIRF5210STRL AUIRF4104 AUIRF4905STRL AUIRF6215S
Modèle de produit AUIRF5210STRL AUIRF4104 AUIRF4905STRL AUIRF6215S
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 140W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 38A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) 75A (Tc) 42A (Tc) 13A (Tc)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Séries HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base AUIRF5210 - AUIRF4905 -
Package composant fournisseur D2PAK TO-220 PG-TO263-3 D2PAK
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 55 V 150 V

Fiche technique AUIRF5210STRL PDF

Téléchargez AUIRF5210STRL PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRF5210STRL - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 30/Mar/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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