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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOH3110
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOH3110 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOH3110
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOH3110
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
AOH3110.pdf
En stock: 4440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOH3110
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOH3110 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOH3110

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 900mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)  
Numéro de produit de base AOH31  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOH3110

Attributs du produit AOH3110 IRFB59N10DPBF STW70N60DM6-4 SI4362BDY-T1-E3
Modèle de produit AOH3110 IRFB59N10DPBF STW70N60DM6-4 SI4362BDY-T1-E3
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. International Rectifier STMicroelectronics Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 50 V 2450 pF @ 25 V 4360 pF @ 100 V 4800 pF @ 15 V
Numéro de produit de base AOH31 - STW70 SI4362
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.9V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 390W (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 600 V 30 V
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-220-3 TO-247-4 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±25V ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-223-4 TO-220AB TO-247-4 8-SOIC
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 99 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 900mA, 10V 25mOhm @ 35.4A, 10V 42mOhm @ 31A, 10V 4.6mOhm @ 19.8A, 10V
Séries - HEXFET® - TrenchFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta) 59A (Tc) 62A (Tc) 29A (Tc)
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount

Fiche technique AOH3110 PDF

Téléchargez AOH3110 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOH3110 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
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Informations environnementales
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PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL - LTS Rev 31/Oct/2017.pdf Mult Dev EOL 23/Jan/2017.pdf
Feuilles de données
AOH3110.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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