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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTB5605PG
NTB5605PG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTB5605PG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTB5605PG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTB5605PG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NTB5605(P).pdf
En stock: 4330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTB5605PG
onsemi - NTB5605PG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTB5605PG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 8.5A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.5A (Ta)  
Numéro de produit de base NTB56  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTB5605PG

Attributs du produit NTB5605PG NTB5860NT4G NTB5405NT4G NTB5605PT4G
Modèle de produit NTB5605PG NTB5860NT4G NTB5405NT4G NTB5605PT4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2V @ 250µA
Package composant fournisseur D²PAK D2PAK D²PAK D²PAK
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc) 283W (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) 88W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Numéro de produit de base NTB56 - NTB5405 NTB5605
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 40 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 180 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.5A (Ta) 220A (Tc) 116A (Tc) 18.5A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 8.5A, 5V 3mOhm @ 75A, 10V 5.8mOhm @ 40A, 10V 140mOhm @ 8.5A, 5V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 10V 5V, 10V 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V 4000 pF @ 32 V 1190 pF @ 25 V

Fiche technique NTB5605PG PDF

Téléchargez NTB5605PG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTB5605PG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Oct/2008.pdf
Feuilles de données
NTB5605(P).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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