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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAOE6930
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOE6930 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOE6930
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOE6930
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN
Description détaillée
Emballage
8-VDFN Exposed Pad
Fiche technique
AOE6930.pdf
État RoHS
En stock: 44045

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOE6930
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE6930 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE6930

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6)  
Séries AlphaMOS  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V  
Puissance - Max 24W, 75W  
Package / Boîte 8-VDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc), 85A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numéro de produit de base AOE693  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6930

Attributs du produit AOE6930 DMN63D8LDW-7 PMDPB80XP,115 IRF9910PBF
Modèle de produit AOE6930 DMN63D8LDW-7 PMDPB80XP,115 IRF9910PBF
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Diodes Incorporated Nexperia USA Inc. Infineon Technologies
Puissance - Max 24W, 75W 300mW 485mW 2W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 22pF @ 25V 550pF @ 10V 900pF @ 10V
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6) SOT-363 6-HUSON (2x2) 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 20V 20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc), 85A (Tc) 220mA 2.7A 10A, 12A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numéro de produit de base AOE693 DMN63 PMDPB80 IRF99
Package / Boîte 8-VDFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-UFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V 2.8Ohm @ 250mA, 10V 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 13.4mOhm @ 10A, 10V
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 0.87nC @ 10V 8.6nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Séries AlphaMOS - - HEXFET®

Fiche technique AOE6930 PDF

Téléchargez AOE6930 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOE6930 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
AOE6930.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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