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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSGH40N60UFDTU
SGH40N60UFDTU Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SGH40N60UFDTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
SGH40N60UFDTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-SGH40N60UFDTU
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 40A 160W TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
SGH40N60UFD.pdf
État RoHS
En stock: 4360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SGH40N60UFDTU
onsemi - SGH40N60UFDTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - SGH40N60UFDTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 20A  
Condition de test 300V, 20A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/65ns  
énergie de commutation 160µJ (on), 200µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 60 ns  
Puissance - Max 160 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 97 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A  
Numéro de produit de base SGH40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi SGH40N60UFDTU

Attributs du produit SGH40N60UFDTU SGH80N60UFDTU SGH40N60UFTU SGH40N60UFTU
Modèle de produit SGH40N60UFDTU SGH80N60UFDTU SGH40N60UFTU SGH40N60UFTU
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A 80 A 40 A 40 A
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Emballer Tube Tube Bulk Tube
énergie de commutation 160µJ (on), 200µJ (off) 570µJ (on), 590µJ (off) 160µJ (on), 200µJ (off) 160µJ (on), 200µJ (off)
type de IGBT - - - -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160 A 220 A 160 A 160 A
Condition de test 300V, 20A, 10Ohm, 15V 300V, 40A, 5Ohm, 15V 300V, 20A, 10Ohm, 15V 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Numéro de produit de base SGH40 SGH80 SGH40N60 SGH40N60
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 20A 2.6V @ 15V, 40A 2.6V @ 15V, 20A 2.6V @ 15V, 20A
Puissance - Max 160 W 195 W 160 W 160 W
Séries - - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 60 ns 95 ns - -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/65ns 23ns/90ns 15ns/65ns 15ns/65ns
gate charge 97 nC 175 nC 97 nC 97 nC
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V

Fiche technique SGH40N60UFDTU PDF

Téléchargez SGH40N60UFDTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour SGH40N60UFDTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014.pdf
Emballage PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold compound change 17/Sep/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 27/Feb/2012.pdf
Feuilles de données
SGH40N60UFD.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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