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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSGH20N60RUFDTU
SGH20N60RUFDTU Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SGH20N60RUFDTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
SGH20N60RUFDTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-SGH20N60RUFDTU
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 32A 195W TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
SGH20N60RUFD.pdf
État RoHS
En stock: 5090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SGH20N60RUFDTU
onsemi - SGH20N60RUFDTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - SGH20N60RUFDTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A  
Condition de test 300V, 20A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/48ns  
énergie de commutation 524µJ (on), 473µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 95 ns  
Puissance - Max 195 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 55 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 32 A  
Numéro de produit de base SGH20N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi SGH20N60RUFDTU

Attributs du produit SGH20N60RUFDTU SGH15N60RUFDTU SGH10N60RUFDTU SGH23N60UFDTU
Modèle de produit SGH20N60RUFDTU SGH15N60RUFDTU SGH10N60RUFDTU SGH23N60UFDTU
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base SGH20N SGH15 SGH10N60 SGH23
Puissance - Max 195 W 160 W 75 W 100 W
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Temps de recouvrement inverse (trr) 95 ns 60 ns 60 ns 60 ns
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Séries - - - -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/48ns 17ns/44ns 15ns/36ns 17ns/60ns
gate charge 55 nC 42 nC 30 nC 49 nC
Package composant fournisseur TO-3P TO-3PN TO-3PN TO-3PN
type de IGBT - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Collecteur (Ic) (max) 32 A 24 A 16 A 23 A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60 A 45 A 30 A 92 A
Condition de test 300V, 20A, 10Ohm, 15V 300V, 15A, 13Ohm, 15V 300V, 10A, 20Ohm, 15V 300V, 12A, 23Ohm, 15V
énergie de commutation 524µJ (on), 473µJ (off) 320µJ (on), 356µJ (off) 141µJ (on), 215µJ (off) 115µJ (on), 135µJ (off)
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A 2.8V @ 15V, 15A 2.8V @ 15V, 10A 2.6V @ 15V, 12A

Fiche technique SGH20N60RUFDTU PDF

Téléchargez SGH20N60RUFDTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour SGH20N60RUFDTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold compound change 17/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
SGH20N60RUFD.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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