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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFD16N05SM9A
RFD16N05SM9A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFD16N05SM9A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
RFD16N05SM9A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-RFD16N05SM9A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
RFD16N05SM.pdf
État RoHS
En stock: 54880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFD16N05SM9A
onsemi - RFD16N05SM9A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - RFD16N05SM9A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 72W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base RFD16N05  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi RFD16N05SM9A

Attributs du produit RFD16N05SM9A RFD16N06LESM9A RFD20N03SM9A RFD16N05LSM9A
Modèle de produit RFD16N05SM9A RFD16N06LESM9A RFD20N03SM9A RFD16N05LSM9A
Fabricant onsemi onsemi Harris Corporation Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250mA
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V 10V 4V, 5V
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252-3 (DPAK) TO-252, (D-Pak)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V 47mOhm @ 16A, 5V 25mOhm @ 20A, 10V 47mOhm @ 16A, 5V
Tension drain-source (Vdss) 50 V 60 V 30 V 50 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 20A (Tc) 16A (Tc)
Séries - - - -
Vgs (Max) ±20V +10V, -8V ±20V ±10V
Dissipation de puissance (max) 72W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc) 60W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V 62 nC @ 10 V 75 nC @ 20 V 80 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 1150 pF @ 25 V -
Numéro de produit de base RFD16N05 RFD16N06 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique RFD16N05SM9A PDF

Téléchargez RFD16N05SM9A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour RFD16N05SM9A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Feuilles de données
RFD16N05SM.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RFD16N05SM9A

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