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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFD16N05SM
RFD16N05SM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFD16N05SM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
RFD16N05SM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-RFD16N05SM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
RFD16N05/SM.pdf
En stock: 4950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFD16N05SM
onsemi - RFD16N05SM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - RFD16N05SM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 72W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base RFD16  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi RFD16N05SM

Attributs du produit RFD16N05SM RFD16N05LSM9A RFD16N06LESM9A RFD16N05LSM
Modèle de produit RFD16N05SM RFD16N05LSM9A RFD16N06LESM9A RFD16N05LSM
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250mA 3V @ 250µA 2V @ 250mA
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Séries - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V 80 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V 47mOhm @ 16A, 5V 47mOhm @ 16A, 5V 47mOhm @ 16A, 5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 50 V 50 V 60 V 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base RFD16 RFD16N05 RFD16N06 -
Vgs (Max) ±20V ±10V +10V, -8V ±10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 72W (Tc) 60W (Tc) 90W (Tc) 60W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V - 1350 pF @ 25 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4V, 5V 5V 4V, 5V

Fiche technique RFD16N05SM PDF

Téléchargez RFD16N05SM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour RFD16N05SM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
RFD16N05/SM.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RFD16N05SM

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