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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVMFS4C01NT3G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVMFS4C01NT3G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVMFS4C01NT3G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVMFS4C01NT3G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fiche technique
NVMFS4C01N.pdf
État RoHS
En stock: 22542

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVMFS4C01NT3G
onsemi - NVMFS4C01NT3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVMFS4C01NT3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.84W (Ta), 161W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10144 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Ta), 319A (Tc)  
Numéro de produit de base NVMFS4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVMFS4C01NT3G

Attributs du produit NVMFS4C01NT3G NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS4C03NT3G NVMFD6H852NLWFT1G
Modèle de produit NVMFS4C01NT3G NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS4C03NT3G NVMFD6H852NLWFT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 3.84W (Ta), 161W (Tc) 3.9W (Ta), 171W (Tc) 3.71W (Ta), 77W (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 30 V 80 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Ta), 319A (Tc) 28A (Ta), 183A (Tc) 31.4A (Ta), 143A (Tc) 7A (Ta), 25A (Tc)
Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base NVMFS4 - NVMFS4 NVMFD6
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.4V @ 2mA 2.2V @ 250µA 2V @ 26µA
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V 2.7mOhm @ 30A,10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 25.5mOhm @ 10A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10144 pF @ 15 V 5827 pF @ 20 V 3071 pF @ 15 V 521 pF @ 40 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 45.2 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique NVMFS4C01NT3G PDF

Téléchargez NVMFS4C01NT3G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVMFS4C01NT3G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
MPN Label Update 08/Sep/2021.pdf MPN label update 11/Oct/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Fab Chg 8/Jan/2021.pdf
Feuilles de données
NVMFS4C01N.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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