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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVMFD6H852NLWFT1G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVMFD6H852NLWFT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVMFD6H852NLWFT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVMFD6H852NLWFT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
NVMFD6H852NL.pdf
État RoHS
En stock: 59940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVMFD6H852NLWFT1G
onsemi - NVMFD6H852NLWFT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVMFD6H852NLWFT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc)  
Numéro de produit de base NVMFD6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVMFD6H852NLWFT1G

Attributs du produit NVMFD6H852NLWFT1G NVMFS015N10MCLT1G NVMFS4841NWFT1G NVMFS4C01NT3G
Modèle de produit NVMFD6H852NLWFT1G NVMFS015N10MCLT1G NVMFS4841NWFT1G NVMFS4C01NT3G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 26µA 2.2V @ 282µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V 12.2mOhm @ 14A, 10V 7mOhm @ 30A, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc) 10.5A (Ta), 54A (Tc) 16A (Ta) 49A (Ta), 319A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V 1338 pF @ 50 V 1436 pF @ 12 V 10144 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3.84W (Ta), 161W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base NVMFD6 NVMFS015 NVMFS4 NVMFS4
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 139 nC @ 10 V

Fiche technique NVMFD6H852NLWFT1G PDF

Téléchargez NVMFD6H852NLWFT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVMFD6H852NLWFT1G - onsemi.

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Feuilles de données
NVMFD6H852NL.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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