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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNVLJD4007NZTAG
NVLJD4007NZTAG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVLJD4007NZTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVLJD4007NZTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVLJD4007NZTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 245MA 6WDFN
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
NVLJD4007NZ.pdf
État RoHS
En stock: 4350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVLJD4007NZTAG
onsemi - NVLJD4007NZTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVLJD4007NZTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-WDFN (2x2)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 125mA, 4.5V  
Puissance - Max 755mW  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 245mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NVLJD4007  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVLJD4007NZTAG

Attributs du produit NVLJD4007NZTAG FDS8962C IRF7756 BSO150N03MDGXUMA1
Modèle de produit NVLJD4007NZTAG FDS8962C IRF7756 BSO150N03MDGXUMA1
Fabricant onsemi onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries Automotive, AEC-Q101 PowerTrench® HEXFET® OptiMOS™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 755mW 900mW 1W 1.4W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 26nC @ 10V 18nC @ 4.5V 17nC @ 10V
Configuration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V 575pF @ 15V 1400pF @ 10V 1300pF @ 15V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 3V @ 250µA 900mV @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 125mA, 4.5V 30mOhm @ 7A, 10V 40mOhm @ 4.3A, 4.5V 15mOhm @ 9.3A, 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 12V 30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 245mA 7A, 5A 4.3A 8A
Numéro de produit de base NVLJD4007 FDS89 IRF775 BSO150
Package composant fournisseur 6-WDFN (2x2) 8-SOIC 8-TSSOP PG-DSO-8
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

Fiche technique NVLJD4007NZTAG PDF

Téléchargez NVLJD4007NZTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVLJD4007NZTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Feuilles de données
NVLJD4007NZ.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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