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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDS8962C
FDS8962C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS8962C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS8962C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS8962C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS8962C.pdf
En stock: 4060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS8962C
onsemi - FDS8962C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS8962C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A, 5A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base FDS89  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS8962C

Attributs du produit FDS8962C FDS8984 FDS8978 FDS8960C
Modèle de produit FDS8962C FDS8984 FDS8978 FDS8960C
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V 13nC @ 10V 26nC @ 10V 7.7nC @ 5V
Numéro de produit de base FDS89 FDS89 FDS89 FDS89
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 35V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A, 5A 7A 7.5A 7A, 5A
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V 635pF @ 15V 1270pF @ 15V 570pF @ 15V
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Puissance - Max 900mW 1.6W 1.6W 900mW
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 18mOhm @ 7.5A, 10V 24mOhm @ 7A, 10V

Fiche technique FDS8962C PDF

Téléchargez FDS8962C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS8962C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 27/Feb/2012.pdf
Feuilles de données
FDS8962C.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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