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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVGS4111PT1G
NVGS4111PT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVGS4111PT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVGS4111PT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVGS4111PT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
NTGS4111P, NVGS4111P.pdf
État RoHS
En stock: 134490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVGS4111PT1G
onsemi - NVGS4111PT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVGS4111PT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 630mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta)  
Numéro de produit de base NVGS4111  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVGS4111PT1G

Attributs du produit NVGS4111PT1G IPD80N06S3-09 NVGS3443T1G NVGS3441T1G
Modèle de produit NVGS4111PT1G IPD80N06S3-09 NVGS3443T1G NVGS3441T1G
Fabricant onsemi Infineon Technologies onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.7A, 10V 8.4mOhm @ 40A, 10V 65mOhm @ 4.4A, 4.5V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 15 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 55µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 630mW (Ta) 107W (Tc) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta) 80A (Tc) 3.1A (Ta) 1.65A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NVGS4111 IPD80N - NVGS3441
Séries Automotive, AEC-Q101 OptiMOS™ - Automotive, AEC-Q101
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 55 V 20 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 15 V 6100 pF @ 25 V 565 pF @ 5 V 480 pF @ 5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V - -
Package composant fournisseur 6-TSOP PG-TO252-3-11 6-TSOP 6-TSOP
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Fiche technique NVGS4111PT1G PDF

Téléchargez NVGS4111PT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVGS4111PT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Feuilles de données
NTGS4111P, NVGS4111P.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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