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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVGS3441T1G
NVGS3441T1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVGS3441T1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVGS3441T1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVGS3441T1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
NVGS3441T1G.pdf
État RoHS
En stock: 4880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVGS3441T1G
onsemi - NVGS3441T1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVGS3441T1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 5 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.65A (Ta)  
Numéro de produit de base NVGS3441  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVGS3441T1G

Attributs du produit NVGS3441T1G NVGS4111PT1G IRF7321D2TRPBF FDB8441
Modèle de produit NVGS3441T1G NVGS4111PT1G IRF7321D2TRPBF FDB8441
Fabricant onsemi onsemi Infineon Technologies onsemi
Numéro de produit de base NVGS3441 NVGS4111 - FDB844
Dissipation de puissance (max) - 630mW (Ta) 2W (Ta) 300W (Tc)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.65A (Ta) 3.7A (Ta) 4.7A (Ta) 28A (Ta), 120A (Tc)
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 8-SO D²PAK (TO-263)
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 FETKY™ PowerTrench®
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 5 V 750 pF @ 15 V 710 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.3A, 4.5V 60mOhm @ 3.7A, 10V 62mOhm @ 4.9A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V
Fonction FET - - Schottky Diode (Isolated) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique NVGS3441T1G PDF

Téléchargez NVGS3441T1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVGS3441T1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NVGS3441T1G

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