Spécifications techniques NVBG040N120SC1
onsemi - NVBG040N120SC1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVBG040N120SC1

Attributs du produit	Valeur des attributs
Fabricant	onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 10mA
Vgs (Max)	+25V, -15V
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur	D2PAK-7
Séries	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 35A, 20V
Dissipation de puissance (max)	357W (Tc)
Package / Boîte	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Emballer	Tape & Reel (TR)

Attributs du produit	Valeur des attributs
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1789 pF @ 800 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 20 V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	20V
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Numéro de produit de base	NVBG040

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVBG040N120SC1

Attributs du produit
Modèle de produit	NVBG040N120SC1	NVB082N65S3F	BTS113AE3045ANTMA1	NVB25P06T4G
Fabricant	onsemi	onsemi	Infineon Technologies	onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)	40A (Tc)	11.5A (Tc)	27.5A (Ta)
Package / Boîte	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (max)	357W (Tc)	313W (Tc)	40W (Tc)	120W (Tj)
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base	NVBG040	NVB082	-	NVB25P
Tension drain-source (Vdss)	1200 V	650 V	60 V	60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 35A, 20V	82mOhm @ 20A, 10V	170mOhm @ 5.8A, 4.5V	82mOhm @ 25A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	20V	10V	4.5V	10V
Vgs (Max)	+25V, -15V	±30V	±10V	±15V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 10mA	5V @ 4mA	2.5V @ 1mA	4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1789 pF @ 800 V	3410 pF @ 400 V	560 pF @ 25 V	1680 pF @ 25 V
type de FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel
Fonction FET	-	-	-	-
Séries	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®	TEMPFET®	Automotive, AEC-Q101
Package composant fournisseur	D2PAK-7	D²PAK-3 (TO-263-3)	TO-220AB	D²PAK
Type de montage	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 20 V	81 nC @ 10 V	-	50 nC @ 10 V
Emballer	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)

Fiche technique NVBG040N120SC1 PDF

Téléchargez NVBG040N120SC1 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVBG040N120SC1 - onsemi.

Informations environnementales: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN: PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021.pdf
Feuilles de données: NVBG040N120SC1.pdf
Assemblage / origine PCN: NTBG0x/NVBG0x 14/Dec/2022.pdf

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Océanie	Nouvelle-Zélande	5
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