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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBTS113AE3045ANTMA1
BTS113AE3045ANTMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BTS113AE3045ANTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BTS113AE3045ANTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BTS113AE3045ANTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
BTS113A.pdf
En stock: 4510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BTS113AE3045ANTMA1
Infineon Technologies - BTS113AE3045ANTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BTS113AE3045ANTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries TEMPFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 5.8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.5A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BTS113AE3045ANTMA1

Attributs du produit BTS113AE3045ANTMA1 BTS112A BTS115A BTS111
Modèle de produit BTS113AE3045ANTMA1 BTS112A BTS115A BTS111
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Séries TEMPFET® - Alliance Plastics, BTS -
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V - - -
type de FET N-Channel - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V - - -
Vgs (Max) ±10V - - -
Package composant fournisseur TO-220AB - - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 5.8A, 4.5V - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.5A (Tc) - 15.5A (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - - -

Fiche technique BTS113AE3045ANTMA1 PDF

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Autres documents connexes
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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