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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTUD3174NZT5G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTUD3174NZT5G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTUD3174NZT5G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTUD3174NZT5G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
Description détaillée
Emballage
SOT-963
Fiche technique
NTUD3174NZT5G.pdf
État RoHS
En stock: 108000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTUD3174NZT5G
onsemi - NTUD3174NZT5G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTUD3174NZT5G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-963  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V  
Puissance - Max 125mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-963  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12.5pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220mA (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTUD3174  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTUD3174NZT5G

Attributs du produit NTUD3174NZT5G IPG20N06S4L11ATMA1 SI9933BDY IRF8915TRPBF
Modèle de produit NTUD3174NZT5G IPG20N06S4L11ATMA1 SI9933BDY IRF8915TRPBF
Fabricant onsemi Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 53nC @ 10V 20nC @ 4.5V 7.4nC @ 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220mA (Ta) 20A 3.4A (Ta) 8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V 11.2mOhm @ 17A, 10V 75mOhm @ 3.2A, 4.5V 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Numéro de produit de base NTUD3174 IPG20N SI9933 IRF89
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 125mW (Ta) 65W 900mW (Ta) 2W
Package / Boîte SOT-963 8-PowerVDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur SOT-963 PG-TDSON-8-4 8-SOIC 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 20V 60V 20V 20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12.5pF @ 15V 4020pF @ 25V 825pF @ 10V 540pF @ 10V
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Séries - Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ PowerTrench® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 2.2V @ 28µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA

Fiche technique NTUD3174NZT5G PDF

Téléchargez NTUD3174NZT5G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTUD3174NZT5G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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