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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxVMM650-01F
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VMM650-01F - IXYS

Fabricant Modèle de produit
VMM650-01F
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-VMM650-01F
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
Description détaillée
Emballage
Y3-Li
Fiche technique
VMM650-01F.pdf
État RoHS
En stock: 4930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VMM650-01F
IXYS - VMM650-01F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - VMM650-01F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Y3-Li  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 500A, 10V  
Puissance - Max -  
Package / Boîte Y3-Li  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1440nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 680A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base VMM650  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS VMM650-01F

Attributs du produit VMM650-01F VMM300-03F VMM85-02F VMM90-09F
Modèle de produit VMM650-01F VMM300-03F VMM85-02F VMM90-09F
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 100V 300V 200V 900V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base VMM650 VMM300 VMM85 VMM90
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 500A, 10V 8.6mOhm @ 145A, 10V 25mOhm @ 500mA, 10V 76mOhm @ 65A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 680A 290A 84A 85A
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1440nC @ 10V 1440nC @ 10V 450nC @ 10V 960nC @ 10V
Package / Boîte Y3-Li Y3-DCB Y4-M6 Y3-Li
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Puissance - Max - 1500W 370W -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30mA 4V @ 30mA 4V @ 8mA 5V @ 30mA
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 40000pF @ 25V 15000pF @ 25V -
Emballer Box Box Box Box
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur Y3-Li Y3-DCB Y4-M6 Y3-Li
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique VMM650-01F PDF

Téléchargez VMM650-01F PDF DataSheets et Documentation IXYS pour VMM650-01F - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
OBS NOTICE 27/Mar/2023.pdf
Feuilles de données
VMM650-01F.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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