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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTTFS5826NLTWG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTTFS5826NLTWG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTTFS5826NLTWG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTTFS5826NLTWG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
NTTFS5826NL.pdf
En stock: 4030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTTFS5826NLTWG
onsemi - NTTFS5826NLTWG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTTFS5826NLTWG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 19W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)  
Numéro de produit de base NTTFS5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTTFS5826NLTWG

Attributs du produit NTTFS5826NLTWG NTTFS6H850NLTAG NTTFS4H07NTAG NTTFS5C453NLTAG
Modèle de produit NTTFS5826NLTWG NTTFS6H850NLTAG NTTFS4H07NTAG NTTFS5C453NLTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Numéro de produit de base NTTFS5 NTTFS6 NTTFS4 NTTFS5
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Tension drain-source (Vdss) 60 V 80 V 25 V 40 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 19W (Tc) 3.9W (Ta), 73W (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta) 14.8A (Ta), 64A (Tc) 18.5A (Ta), 66A (Tc) 23A (Ta), 107A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V 1450 pF @ 40 V 771 pF @ 12 V 2100 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.5A, 10V 8.6mOhm @ 10A, 10V 4.8mOhm @ 30A, 10V 3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 70µA 2.1V @ 250µA 2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 12.4 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)

Fiche technique NTTFS5826NLTWG PDF

Téléchargez NTTFS5826NLTWG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTTFS5826NLTWG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 20/Jan/2015.pdf
Feuilles de données
NTTFS5826NL.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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