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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTTFS5820NLTWG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTTFS5820NLTWG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTTFS5820NLTWG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTTFS5820NLTWG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
NTTFS5820NL.pdf
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTTFS5820NLTWG
onsemi - NTTFS5820NLTWG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTTFS5820NLTWG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta), 33W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1462 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 37A (Tc)  
Numéro de produit de base NTTFS5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTTFS5820NLTWG

Attributs du produit NTTFS5820NLTWG NTTFS4H05NTAG NTTFS5820NLTAG NTTFS5C453NLTAG
Modèle de produit NTTFS5820NLTWG NTTFS4H05NTAG NTTFS5820NLTAG NTTFS5C453NLTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 37A (Tc) 22.4A (Ta), 94A (Tc) 11A (Ta), 37A (Tc) 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 3.3mOhm @ 30A, 10V 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 3mOhm @ 40A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 2.66W (Ta), 46.3W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1462 pF @ 25 V 1205 pF @ 12 V 1462 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 18.9 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base NTTFS5 NTTFS4 NTTFS5820 NTTFS5
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 25 V 60 V 40 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -

Fiche technique NTTFS5820NLTWG PDF

Téléchargez NTTFS5820NLTWG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTTFS5820NLTWG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Oct/2014.pdf
Feuilles de données
NTTFS5820NL.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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