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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTTD4401FR2
NTTD4401FR2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTTD4401FR2 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTTD4401FR2
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTTD4401FR2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique
NTTD4401F.pdf
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTTD4401FR2
onsemi - NTTD4401FR2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTTD4401FR2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-MSOP  
Séries FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 780mW (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 16 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta)  
Numéro de produit de base NTTD44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTTD4401FR2

Attributs du produit NTTD4401FR2 NTTFS3A08PZTAG NTTFS1D2N02P1E NTTD4401FR2G
Modèle de produit NTTD4401FR2 NTTFS3A08PZTAG NTTFS1D2N02P1E NTTD4401FR2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Package composant fournisseur 8-MSOP 8-WDFN (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3) 8-MSOP
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 16 V 5000 pF @ 10 V 4040 pF @ 13 V 750 pF @ 16 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries FETKY™ - - FETKY™
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) - - Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 780mW (Ta) 840mW (Ta) 820mW (Ta), 52W (Tc) 780mW (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta) 9A (Ta) 23A (Ta), 180A (Tc) 2.4A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V 56 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±10V ±8V +16V, -12V ±10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Numéro de produit de base NTTD44 NTTFS3 NTTFS1 NTTD44
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 25 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.3A, 4.5V 6.7mOhm @ 12A, 4.5V 1mOhm @ 38A, 10V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 934µA 1.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique NTTD4401FR2 PDF

Téléchargez NTTD4401FR2 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTTD4401FR2 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 27/Jun/2007.pdf
Feuilles de données
NTTD4401F.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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