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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTTFS3A08PZTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTTFS3A08PZTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTTFS3A08PZTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTTFS3A08PZTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
NTTFS3A08PZ.pdf
État RoHS
En stock: 5120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTTFS3A08PZTAG
onsemi - NTTFS3A08PZTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTTFS3A08PZTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 840mW (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)  
Numéro de produit de base NTTFS3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTTFS3A08PZTAG

Attributs du produit NTTFS3A08PZTAG NTTFS4823NTAG NTTFS4800NTWG NTTFS4821NTAG
Modèle de produit NTTFS3A08PZTAG NTTFS4823NTAG NTTFS4800NTWG NTTFS4821NTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 840mW (Ta) 660mW (Ta), 32.9W (Tc) 860mW (Ta), 33.8W (Tc) 660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 16.6 nC @ 10 V 24 nC @ 11.5 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V 10.5mOhm @ 20A, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base NTTFS3 NTTFS4 NTTFS4 NTTFS4821
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta) 7.1A (Ta), 50A (Tc) 5A (Ta), 32A (Tc) 7.5A (Ta), 57A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 10 V 1013 pF @ 12 V 964 pF @ 15 V 1755 pF @ 12 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 30 V

Fiche technique NTTFS3A08PZTAG PDF

Téléchargez NTTFS3A08PZTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTTFS3A08PZTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
NTTFS3A08PZ.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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